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| El chip de germanio-silicio en el banco de pruebas. Foto: GIT. |
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Un chip de silicio ha sido acelerado hasta los 500 Gigahercios en un experimento que alienta las esperanzas de conseguir aun más velocidad con esta tecnología.
Los investigadores de IBM y Georgia Institute of Technology construyeron un microchip a partir de una aleación de silicio y germanio. Los electrones circulan por este material más fácilmente que por el silicio, especialmente cuando la aleación es fuertemente enfriada.
El chip cuando fue enfriado a -268,65 grados centígrados (unos pocos grados por encima del cero absoluto) con helio líquido y llegó a los 500 GHz. Incluso a temperatura ambiente se conseguió llegar a 300 GHz.
La velocidad de operación de un microchip es definida como la velocidad a la que un transistor puede interrumpir el flujo de los electrones. En el experimento se usaron transistores bipolares de heterounión consistentes en una lámina de silicio y otra de aleación de silicio-germanio. (leer más…)
